其他產(chǎn)品及廠家

熱成像推掃型高光譜相機(jī)(7.7-12.3um)
熱成像推掃型高光譜相機(jī)(7.7-12.3um)這是一款的熱成像推掃型高光譜相機(jī)，支持 7.7 至 12.3 μm 的全 lwir 光譜范圍。
更新時(shí)間:2025-12-15
用于約300 GHz太赫茲源的可拆卸中等增益的錐形喇叭天線
用于約300 ghz太赫茲源的可拆卸中等增益的錐形喇叭天線我們提供多種型號(hào)的太赫茲和亞太赫茲源（impatt 二極管）。每種太赫茲源均可選擇搭配相應(yīng)的 wr 輸出法蘭或剛性固定的錐形喇叭天線?？刹鹦独忍炀€是可選的附加元件，可連接到相應(yīng)的 wr 輸出法蘭。
更新時(shí)間:2025-12-15
用于 100 GHz 太赫茲源的可拆卸錐形喇叭天線
用于 100 ghz 太赫茲源的可拆卸錐形喇叭天線我們提供多種型號(hào)的太赫茲和亞太赫茲源（impatt 二極管）。每種太赫茲源均可選擇搭配相應(yīng)的 wr 輸出法蘭或剛性固定的錐形喇叭天線。可拆卸喇叭天線是可選的附加元件，可連接到相應(yīng)的 wr 輸出法蘭。
更新時(shí)間:2025-12-15
高速短波紅外高光譜相機(jī)(1000-2500nm)
高速短波紅外高光譜相機(jī)(1000-2500nm)這是一款在 1000–2500 nm 范圍內(nèi)工作的高速短波紅外高光譜相機(jī)。它具有 384 個(gè)空間像素，使用 cameralink 連接可實(shí)現(xiàn)高達(dá)每秒 400 幀的圖像速率。
更新時(shí)間:2025-12-15
快速推掃型高光譜相機(jī)(980-1730nm)
快速推掃型高光譜相機(jī)(980-1730nm)這是一款在近紅外光譜范圍 (980-1730 nm) 內(nèi)工作的快速推掃型高光譜相機(jī)，能夠識(shí)別傳送帶和自由落體式檢測(cè)系統(tǒng)上人眼難以分辨的高速移動(dòng)物體。它是一款強(qiáng)大而的在線分選、檢驗(yàn)和質(zhì)量控制工具，可在大規(guī)模生產(chǎn)中提供的性價(jià)比。
更新時(shí)間:2025-12-15
定制紫外工業(yè)復(fù)消色差物鏡(220-900nm)
定制紫外工業(yè)復(fù)消色差物鏡(220-900nm)的紫外響應(yīng)特性，可以在220nm-900nm波段內(nèi)保持70％以上的透過率，滿足多種使用需求;使用可見光對(duì)焦完成之后，在紫外區(qū)域無需重新對(duì)焦。復(fù)消色差設(shè)計(jì)，紫外和可見光成像清晰明銳，可以保持非常小的像失真；長(zhǎng)工作距離物鏡，可以使用于同軸觀察系統(tǒng)或激光導(dǎo)入光學(xué)系統(tǒng)等
更新時(shí)間:2025-12-15
UV平場(chǎng)復(fù)消色差物鏡(266-500nm 10x)
uv平場(chǎng)復(fù)消色差物鏡(266-500nm 10x)該物鏡采用了設(shè)計(jì)的m plan uv鏡頭，提高了分辨率。這個(gè)物鏡刻有類別、放大率、數(shù)值孔徑、數(shù)字（說明用于無蓋玻片的樣品成像）和指出放大倍數(shù)的有效套筒透鏡焦距。
更新時(shí)間:2025-12-15
線掃描式高光譜相機(jī)(900-1700nm)
線掃描式高光譜相機(jī)(900-1700nm)這款相機(jī)專為工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室使用而設(shè)計(jì)，并采用線掃描模式工作，可用于收集近紅外 nir 區(qū)域（900 至 1700 nm）的高光譜數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
線掃描式高光譜相機(jī)(2700-5300nm)
線掃描式高光譜相機(jī)(2700-5300nm)這是專為工業(yè)環(huán)境設(shè)計(jì)的高速、、穩(wěn)定的高光譜相機(jī)。它采用線掃描模式工作，可用于收集中波紅外 (mwir) 區(qū)域 (2.7-5.3 μm) 的高光譜數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
緊湊型高性能CCD光譜儀(200-1050nm 分辨率0.5nm)
緊湊型高性能ccd光譜儀(200-1050nm 分辨率0.5nm)這是一款線陣 ccd 陣列光譜儀，采用低雜散光光學(xué)平臺(tái)，專為紫外（uv）與近紅外（nir）性能優(yōu)化設(shè)計(jì)。該設(shè)備具備 2048 元探測(cè)器、內(nèi)置 16 位數(shù)字化儀、usb 2.0 接口（讀取速度＞2.0 mhz）及外部觸發(fā)功能。
更新時(shí)間:2025-12-15
線掃描式高光譜相機(jī)(400-1000nm)
線掃描式高光譜相機(jī)(400-1000nm)高光譜相機(jī)專為工業(yè)和實(shí)驗(yàn)室使用而設(shè)計(jì)。高光譜相機(jī)采用線掃描模式工作，可用于收集可見光和近紅外 (vnir) 區(qū)域 (400-1000 nm) 的光譜數(shù)據(jù)，經(jīng)過色彩優(yōu)化的高光譜相機(jī)可用于收集 400-780 nm 范圍內(nèi)的光譜數(shù)據(jù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
便攜式高光譜相機(jī)(400-1000nm)
便攜式高光譜相機(jī)(400-1000nm)我們廣泛的相機(jī)產(chǎn)品組合涵蓋多個(gè)不同波段范圍，可用于工業(yè)、科研和政府單位等 。無論是實(shí)驗(yàn)室、工業(yè)設(shè)施還是現(xiàn)場(chǎng)，我們都能滿足您的需求。
更新時(shí)間:2025-12-15
3.0-12.0um 超高速M(fèi)CT光浸式紅外光伏探測(cè)模塊
產(chǎn)品總覽uhsm-i-10.6是一款超高速單對(duì)紅外檢測(cè)模塊。它是基于mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒式光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、交流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層(wznsear)窗可防止不必要的干擾效應(yīng)。
更新時(shí)間:2025-12-15
2-12um MCT中紅外四級(jí)TE冷卻光浸式光電探測(cè)器 PVI-4TE系列
pvi-4te系列是基于復(fù)雜的hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)的四級(jí)熱電冷卻紅外光電探測(cè)器，具有的性能和穩(wěn)定性，同時(shí)采用光學(xué)浸入來改善器件的參數(shù)。探測(cè)器在λopt時(shí)具有他本身的z佳性能。起始波長(zhǎng)可根據(jù)需要進(jìn)行優(yōu)化。反向偏置電壓可以顯著提高響應(yīng)速度和動(dòng)態(tài)范圍以及高頻下的性能，但偏置器件中出現(xiàn)的1/f噪聲可能會(huì)降低低頻下的性能。
更新時(shí)間:2025-12-15
2.9–5.5μm 碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 平衡/自動(dòng)平衡 紅外檢測(cè)模塊 1.8 MHz
產(chǎn)品總覽nipm-i-5是一款專為差分光信號(hào)檢測(cè)而設(shè)計(jì)的紅外檢測(cè)模塊。該設(shè)備可以在平衡和自動(dòng)平衡模式下運(yùn)行。該檢測(cè)模塊使用兩個(gè)基于 hgcdte 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的獨(dú)立檢測(cè)器。這些 ir 檢測(cè)器（信號(hào)和參考）精確匹配，以實(shí)現(xiàn)非常高的共模抑制比 (cmrr)。 nipm-i-5 專用于在激光的過量噪聲超過檢測(cè)器的基本噪聲的系統(tǒng)中運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-12-15
2.7-5.6um DC-18MHz碲鎘汞可編程實(shí)驗(yàn)室紅外檢測(cè)模塊(帶光浸式光伏探測(cè)器)
產(chǎn)品總覽labm-i-5是一種檢測(cè)模塊，其特征是基于hgcdte異質(zhì)結(jié)構(gòu)（pvi-2te-5-1×1-to8-wal2o3-36）的te冷卻、光學(xué)浸沒光伏紅外探測(cè)器，與可編程跨阻抗放大器（pip系列）集成。為了正常運(yùn)行，需要可編程的vigo熱電冷卻器控制器ptcc-01（單獨(dú)出售）和smart manager軟件（免費(fèi)軟件）。
更新時(shí)間:2025-12-15
碲鎘汞 MCT(HgCdTe)通用紅外檢測(cè)模塊 3.0–6.7μm DC–1 MHz
產(chǎn)品總覽um-i-6是一款通用的一體化紅外檢測(cè)模塊。它是基于碲鎘汞異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱電冷卻光浸沒光伏探測(cè)器，在緊湊的外殼中集成了跨阻、直流耦合前置放大器、風(fēng)扇和熱電冷卻器控制器。3 °楔形硒化鋅增透涂層窗戶防止不必要的干擾效果。um-i-6檢測(cè)模塊是非常方便和用戶友好的設(shè)備，因此可以很容易地用于各種mwir應(yīng)用。
更新時(shí)間:2025-12-15
1-12um 中紅外非冷卻光浸沒式MCT光電導(dǎo)探測(cè)器 PCI系列
pci系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非冷卻紅外光電導(dǎo)探測(cè)器，通過光學(xué)浸沒來改善器件的參數(shù)，具有的性能和穩(wěn)定性。探測(cè)器在λopt時(shí)工作性能佳。截止波長(zhǎng)受gaas透過率(~0.9μm)的限制。此設(shè)備應(yīng)該在的偏置電壓和電流讀出模式下工作。由于1/f噪聲，在低頻時(shí)探測(cè)器的性能降低。1/f噪聲角頻率隨截止波長(zhǎng)增大而增大。
更新時(shí)間:2025-12-15
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器
190~1100nm紫外高速型固定增益硅光電探測(cè)器筱曉光子的硅基放大光電探測(cè)器感光范圍覆蓋190nm~1100nm，可實(shí)現(xiàn)定量光電轉(zhuǎn)換，動(dòng)態(tài)范圍寬，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景，性能，性價(jià)比高，提供quan方位技術(shù)支持，常應(yīng)用于紫外與可見光測(cè)量。
更新時(shí)間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛
更新時(shí)間:2025-12-15
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器
320-1000nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測(cè)器銦鎵砷雪崩光電探測(cè)器(apd)設(shè)計(jì)用于提供比標(biāo)準(zhǔn)pin探測(cè)器更強(qiáng)的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級(jí)別的應(yīng)用。除了我們標(biāo)準(zhǔn)的apd之外，還提供具有可變?cè)鲆?即m因子)和/或溫度補(bǔ)償?shù)陌姹尽?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15
太赫茲相機(jī)(0.05-0.7THz 64x64)|材料檢測(cè)
太赫茲相機(jī)(0.05-0.7thz 64x64)|材料檢測(cè)我們開發(fā)出一種用于制造新一代太赫茲成像半導(dǎo)體探測(cè)器陣列的技術(shù)。該探測(cè)器可在室溫環(huán)境下工作，其陣列像素?cái)?shù)量具備可擴(kuò)展性。公司正于為科研與工業(yè)領(lǐng)域開發(fā)靈活的太赫茲成像解決方案。
更新時(shí)間:2025-12-15
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(PTFE 聚四氟乙烯)
太赫茲非球面平凸聚光透鏡(ptfe 聚四氟乙烯)作為現(xiàn)成的太赫茲成像解決方案的一部分，我們提供工作在 thz 頻段的 tpx 和 ptfe 透鏡及光學(xué)系統(tǒng)。塑料平凸透鏡由聚四氟乙烯（純白 ptfe，teflon?）制成，其介電常數(shù)較低，在 520 ghz 時(shí)約為 1.96，折射率為 1.4。
更新時(shí)間:2025-12-15
2.5-6.5um MCT中紅外非制冷光電探測(cè)器 PVI系列
2.5-6.5um mct中紅外非制冷光電探測(cè)器 pvi系列pvi系列是基于復(fù)雜的mct異質(zhì)結(jié)構(gòu)的非制冷紅外光電探測(cè)器，采用光學(xué)浸沒的方式提高器件的性能參數(shù)，使其具有的性能和穩(wěn)定性。器件在λ_opt時(shí)達(dá)到它本身能達(dá)到的的z佳性能。
更新時(shí)間:2025-12-15
InGaAs光電二管模塊 光譜響應(yīng)800-1600nm
光譜響應(yīng)范圍 800-1600nm，速度 1.25gbps，帶tia，5pin腳
更新時(shí)間:2025-12-15
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器
800~1700nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
InGaAs蓋革模式雪崩光電二管 光譜響應(yīng)0.9-1.7μm
光譜響應(yīng)范圍0.9~1.7μm；響應(yīng)度 @1550nm: 0.85 a/w; 6針to8 封裝；smf-28e 光纖耦合；fc/apc, 帶 tce
更新時(shí)間:2025-12-15
硅Si高性能雪崩光電二管 400-1000nm 感光直徑0.5mm 封裝TO-18
感光面積：0.2mm2 感光直徑：0.5mm 擊穿電壓：225v 結(jié)電容：1.6pf 暗電流：15na 增益：150 噪聲電流：0.23pa/√hz 封裝：to-18，平面窗口 峰值靈敏度波長(zhǎng)：830 nm 響應(yīng)時(shí)間： 響應(yīng)度： 在830 nm為77 a/w 在900 nm處為65 a/w 上升/下降時(shí)間：0.5ns 溫度系數(shù)：0.7v/°c 波長(zhǎng)：400-1100nm
更新時(shí)間:2025-12-15
硅Si雪崩光電二管 905nm 400-1100nm 光敏面直徑0.5mm
光譜響應(yīng)范圍：400-1100nm 峰值響應(yīng)波長(zhǎng)：905nm 光敏面直徑：0.5mm 封裝：lcc3
更新時(shí)間:2025-12-15
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器
320～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
光電二管放大器混合器 350-1100nm/200-1100nm 封裝30/TO-5
光譜范圍350-100nm,響應(yīng)度:(a/w)0.65@970nm, 有效面積(5.1mm2),封裝形式30 / to-5
更新時(shí)間:2025-12-15
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸
800~2600nm放大型可調(diào)增益銦鎵砷光電探測(cè)器--紅外延伸我們的銦鎵砷探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋800nm~1700nm， 常用于 近紅外光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量化光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；
更新時(shí)間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器320-900nm
上升時(shí)間：＜30ps 帶寬：＞10ghz 光譜響應(yīng)范圍：320-900nm 量子效率@peak：40% 光敏面大?。?00×200 / 0.04um/mm2 nep：3.0 × 10-15(w/√hz) 暗電流：0.1na 材料：gaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號(hào)輸出：sma
更新時(shí)間:2025-12-15
InAsSb 紅外光伏探測(cè)器 非冷卻非浸沒 2.3um TO39
產(chǎn)品總覽pva系列是基于inas1-xsbx合金的非冷卻紅外光伏探測(cè)器。該設(shè)備具有高達(dá)300℃的溫度穩(wěn)定性以及高機(jī)械耐用，且不含汞和鎘，符合rohs指標(biāo)要求
更新時(shí)間:2025-12-15
Ge鍺超大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑10mm
光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm；光敏面直徑 10mm；響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w； 光敏材料 ge；2pin腳
更新時(shí)間:2025-12-15
Ge鍺大光敏PIN光電二管 800-1800nm 直徑5mm
光譜響應(yīng)范圍 800-1800nm，直徑 5mm，響應(yīng)度@1550nm 0.85 a/w，2pin腳
更新時(shí)間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器（800-2600nm ，上升沿時(shí)間＜200ps ，InGaAs；Polished； glass）
上升時(shí)間：＜200ps 帶寬：＞0.3ghz 光譜響應(yīng)范圍：800-2600nm 量子效率@peak：70% 光敏面大?。?00/0.07um/mm2 nep：7× 10-13(w/√hz) 暗電流：2000na 材料：ingaas 輸入方式：空間光輸入 rf信號(hào)輸出：bnc
更新時(shí)間:2025-12-15
Alphalas UPD超快光電探測(cè)器（320-1100nm ＜300ps上升沿時(shí)間 Si >1GHz 拋光玻璃)
alphalas upd系列自由空間入射超快光電探測(cè)器系列適合用于從直流到25ghz的空間光波形的測(cè)量?？商峁z測(cè)最短為15ps上升時(shí)間的光脈沖信號(hào)，覆蓋從170至2600nm的光譜范圍。所有探測(cè)器都由緊湊堅(jiān)實(shí)的過氧極化鋁外殼封裝，供電方式可以采用電池或外接電源。是可提供從170到1100 nm擴(kuò)展到紫外光譜范圍高速硅探測(cè)器商業(yè)產(chǎn)品。
更新時(shí)間:2025-12-15
硅 Silicon ET-2070 - 硅光電探測(cè)器 >118 MHz 美國EOT
產(chǎn)品總覽筱曉光子公司代理美國的eot(electro-optics technology)公司全線產(chǎn)品eot 的<10 ghz 光電探測(cè)器包含 pin 光電二極管，利用光伏效應(yīng)將光功率轉(zhuǎn)換為電流。
更新時(shí)間:2025-12-15
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器
350～1100nm放大型可調(diào)增益硅光電探測(cè)器我們的硅探測(cè)器 ，感光范圍覆蓋190nm~1100nm， 常用于紫外 與可見光測(cè)量；放大型探測(cè)器，8檔可調(diào)增益 ，定量光電轉(zhuǎn)換；動(dòng)態(tài)范圍寬 ，適用于各種光電開發(fā)場(chǎng)景 ，應(yīng)用廣泛；索雷博thorlabs同款 ，無縫兼容；性能 ，高性價(jià)比 ，quan方位技術(shù)支持； 提供非標(biāo)定制服務(wù)。
更新時(shí)間:2025-12-15
數(shù)字集成光電二管 1kHz 高精度 低漂移
電源電壓(vs) 提供的usb:5v ,電源電流 正常工作(1khz) :90ma
更新時(shí)間:2025-12-15
5um 超快中紅外探測(cè)器 中紅外量子阱紅外探測(cè)器 QWIP
mir qwip是基于的qwip技術(shù)而研發(fā)的一款超快速中紅外探測(cè)器。它的響應(yīng)速度高達(dá)數(shù)十ghz，是市場(chǎng)上最快的檢測(cè)器。它是表征qcl頻率梳、構(gòu)建外差儀器、開發(fā)中紅外高帶寬光學(xué)通信鏈路的完quan工具。qwip的技術(shù)是卡洛·瑟托里教授在pierre aigrain實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的。我們對(duì)包裝和設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，以適應(yīng)低溫下的超高速運(yùn)行。
更新時(shí)間:2025-12-15
微型納Nd:YAG毫焦激光頭 輸出功率1W 中心波長(zhǎng)1064nm
平均輸出功率 1 w 大脈沖能量 1 ... 20 mj 脈沖持續(xù)時(shí)間(fwhm) 3...8 ns 波長(zhǎng)(中心) 1064nm
更新時(shí)間:2025-12-15
7芯高純SiO2多芯微結(jié)構(gòu)光纖 纖芯直徑2.1±0.3μm 裸纖直徑 150±3μm
纖芯數(shù)量:7芯 纖芯直徑：2.1 ± 0.3 μm 裸纖直徑：150 ± 3 μm 涂敷層直徑：250 ± 3 μm（丙烯酸酯） 數(shù)值孔徑：0.48 ± 0.05
更新時(shí)間:2025-12-15
基于silica V-Groove 2D 光纖陣列定制 SMF-28E FC/APC連接
光纖數(shù)量6*5，共30路，矩形排列，光纖間距1mm，間距誤差小于20um，角度誤差小于20mrad，單模光纖，，30根光纖用smf-28e，fc/apc連接器
更新時(shí)間:2025-12-15
可見光近紅外中空光纖 內(nèi)徑尺寸1500um 平均功率30W
鍍銀涂層中空光纖 包層材料：塑料 內(nèi)徑尺寸：1500um 脈沖能量：100mj@532nm,5ns 大平均功率：30w
更新時(shí)間:2025-12-15
單能量勻化矩形纖芯激光傳輸光纖 芯徑375um 包層直徑660±5um
數(shù)值孔徑 0.22±0.02；芯徑 375×375±5um；包層直徑 660±5um；涂覆直徑 960±20um ,580/米
更新時(shí)間:2025-12-15
單包層泵浦能量傳輸多模光纖(摻氟玻璃包層 纖芯直徑200um 包層直徑220um)
筱曉光束傳輸光纖是階躍型折射率分布的多模光纖，采用高純合成二氧化硅玻璃纖芯和摻氟二氧化硅玻璃包層，光纖具有低損耗，高激光損傷閾值，高機(jī)械強(qiáng)度等特點(diǎn)。較大的數(shù)值孔徑大大提高光纖的耦合效率和抗彎能力。產(chǎn)品采用嚴(yán)格的光纖拉絲工藝和高性能光纖涂層，具有良好的可靠性、一致性與穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于材料加工、科學(xué)研究和醫(yī)療等領(lǐng)域，能quan面滿足各類客戶對(duì)激光傳輸?shù)囊蟆?/div> 更新時(shí)間:2025-12-15
二氧化硅非圓芯徑矩形勻化光纖 (Optran UV NCC WF RCT NA=0.20/0.48)
optran? uv ncc, optran? wf ncc二氧化硅 非圓 芯徑光纖ceramoptec?提供矩形、方形、八角形和其他纖芯/包層幾何形狀的光纖，與我們的uv/wv系列光纖相比，具有更多優(yōu)勢(shì)。
更新時(shí)間:2025-12-15

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